新中国成立之初，百废待兴，一批怀抱科学救国理想的留美学者和学生，放弃在美国优越的工作和生活条件，把个人的理想与祖国的命运紧紧联系在一起，经历了艰难的历程回到新中国，为祖国的科技事业修桥铺路，做出不可替代的开拓性贡献。他们就是1950年代归国留美学人。

1949年至1957年，因为冷战格局形成、国内政权变更、美国对中国留学生态度转变等原因，留美中国学人形成了两波归国潮。第一波归国潮从1949年新中国成立前夕至1951年10月。当时恰是二战后留美热潮期间出国的留学生学成之时，学成归国是那个时候留学生们的当然选择，再加上留美科协的动员工作，当时有大量的留学生回到了中国。这批回国者包括梁思礼、葛庭燧、陆星垣、唐敖庆、华罗庚、朱光亚、邓稼先、叶笃正、冀朝铸等近1000名留美学人。第二波归国潮从1954年11月至1957年。朝鲜战争的结束后，中美双方在日内瓦会议上关于留学生的谈判使美国政府解除了对中国留学生回国的禁令，又有一些中国留学生开始回国。这批回国者包括钱学森、陈能宽、郭永怀、林兰英等在内的一批科学家。

1950年代归国留美学人在新中国的科技事业和现代化建设中发挥了重要的奠基作用，并为新中国培养了大批优秀人才。特别是，他们在“1956-1967年科学技术发展远景规划”的制定和“两弹一星”的研制方面发挥了重要作用。他们中间涌现出众多的杰出科学家代表。本期推文将为大家介绍半导体材料学家林兰英的故事。

一、林兰英简介

林兰英(女，1918.2.7-2003.3.4)，半导体材料科学家。福建莆田人。1940年毕业于福建协和大学。1955年获美国宾州大学博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。一直从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成我国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础，负责研制的高纯度汽相和液相外延材料达到国际先水平。近年来，又开创了我国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取得了世人瞩目的成绩。1980当选为中国科学院院士（学部委员）。

林兰英院士（图片来源于网络）

二、宾夕法尼亚大学第一位女博士

林兰英于1918年出生于福建莆田，1936年以出色的成绩考入福建协和大学物理系，毕业后留校任教。1948年，林兰英申请到宾夕法尼亚州迪金森学院的交流项目赴美留学，1949年获得数学学士学位。当时，她的导师有意推荐她到芝加哥大学数学系继续深造，但怀着“一切都应该服从祖国建设事业的迫切需要”的想法，林兰英果断地选择改学固体物理专业，当时这门学科在我国还是一片空白。同年秋，林兰英进入宾夕法尼亚大学研究生院，开始了固体物理专业的研究。1951年，她获得宾夕法尼亚大学固体物理学硕士学位，之后继续攻读博士学位，师从米勒教授。1955年6月，凭借博士论文《离子晶体缺陷的研究》获得宾夕法尼亚大学固体物理学博士学位，是该校建校以来，第一位获得博士学位的中国人，也是该校有史以来的第一位女博士。

获得博士学位时的林兰英（图片来源于网络）

1955年，完成博士学业的林兰英因美国政府的施压，暂时无法回国。她来到美国著名的索菲尼亚公司担任高级工程师，专注于半导体材料研究。当时该公司正在依据美国科学家研究的方法和工序拉制硅单晶并屡遭挫折，林兰英经过观察和研究，不仅找出了失败的症结，而且提出了改进操作规程和设备的建议，最终使得拉制硅单晶的任务圆满完成。随后她据此发表的有关论文还被美国当局列为专利技术。在索菲尼亚公司任职的一年多时间里，林兰英深度接触半导体材料研究的领域前沿，学习实用技术，为回国工作打下牢固的基础。

三、下定决心归国

1955年4月，美国解除了对中国留学生的禁令，使得一批留美的中国学者有机会回国。在海外近8年的求学生涯，林兰英虽未受到过大的波折，但中国人在海外常受歧视的境遇，让她对“祖国”这两个字的感受更为深切与真诚。“祖国是我的，我是祖国的”，她决心响应党和祖国的召唤，回归故里，为新中国的社会主义建设事业添砖加瓦，奉献才华。

1956年7月，林兰英以母亲病重为由，向美国当局递交了回国的申请。因林兰英工作业绩突出，她就职的索菲尼亚公司不愿放她回国，美国当局更是百般刁难与“劝说”。但是，林兰英始终不为所动，最后通过印度驻美国大使馆办好了回国手续。

1957年1月6日，林兰英来到了旧金山海岸的候船室，准备乘坐“威尔逊”客轮回国。然而在登船前，美国的调查员对林兰英的行李进行了详细的搜查，检查完行李后，调查员又对林兰英进行了搜身，并扣下了她身上携带的仅有的6800美元旅行支票，那是她在美国的全部积蓄。美国人再次以此作为威胁，让她留在美国。林兰英坚决拒绝了，她想，“扣就扣吧，成了平民百姓，我还是下决心回国了”。

经过23天22夜的航程，林兰英乘坐的“威尔逊”客轮于1957年1月29日抵达中国香港，她回到了自己日思夜想的祖国。

从海外归来的林兰英（右二），于当年的7月在北京与亲友团聚（图片来源于网络）

四、开拓我国半导体材料科学事业

回国后，林兰英进入中国科学院半导体研究所工作，从事半导体方面的研究，对我国成功研究硅半导体单晶材料做出重要贡献。

当时，我国的半导体事业十分落后，单晶硅计划在1968年开始进行。外国专家也预测，中国要到60年代才能着手单晶材料的研制。然而在林兰英的带领下，我国于1957年拉制成功第一根锗单晶，于1958年拉制成功第一根硅单晶，中国也成为世界上第三个生产出硅单晶的国家。

之后，林兰英又把视野从元素周期表上的锗、硅之类的第四家族扩展到第三、五家族，重点从事新型材料砷化镓的研究。砷化镓是一种有发展潜力的新型半导体材料。砷化镓的熔点高达1238℃，加上砷的剧毒特性，国外众多科学家先后放弃了对其的研究。在很多学者都认为该项研究没有前途时，林兰英却看到了砷化镓研究的前景。

林兰英是世界上最早在太空制成半导体材料砷化镓单晶的科学家。从1987年到1990年，林兰英利用我国的返回式人造卫星，进行砷化镓单晶太空生长实验3次，均获得成功，并用它研制成半导体激光器。林兰英也因此被人们称为“中国半导体材料之母”。

1978年，林兰英（左二）与液相外延组人员在一起（图片来源于网络）

我国半导体材料从无到有，从低级到高级，从落后到先进，每一次进步都与林兰英和伙伴们的艰苦奋斗息息相关。她的研究成果不仅普遍使用在工业领域中，而且为中国的国防工业和太空领域研究作出了巨大贡献。

林兰英历任中国科学院半导体研究所研究员、副所长等职，1980年当选为中国科学院院士。她曾荣获全国科学大会奖、中国科学院重大科技成果奖（1985年以前）、国家科学技术进步奖二等奖和三等奖、中国科学院科技进步奖一等奖、何梁何利基金科学与技术进步奖、霍英东成就奖等诸多奖项。

五、小结

作为1950年代归国的留美学人，林兰英在美国完成留学深造，积累工作经验，并不畏困难回到新中国，艰苦创业与探索，为我国半导体材料科学事业做出了不可替代的开拓性贡献。

参考文献：

1. 侯祥麟，罗沛霖，师昌绪等口述. 王德禄，杜开昔访问. 王德禄，高颖，程宏等整理. 1950年代归国留美科学家访谈录[M]. 长沙：湖南教育出版社, 2013.

2. 陈丹. 二十世纪五十年代归国留美学人群体及相关问题研究刍议[J]. 中共党史研究, 2018,(3): 114-121.

3. 何春藩,王占国.林兰英传[M]. 北京:科学出版社, 2014.

4. 林兰英：被称为中国半导体材料之母，学习时报[N]，2022-10-26.